Редис

 

Эти культуры поступают на стол раньше других ово­щей. Они содержат ценные химические соединения и ферменты, в том числе аскорбиновую кислоту.

Редис—холодостойкое растение, требователен к ин­тенсивности освещения: в ноябре—декабре в зимних теп­лицах корнеплоды не формирует. Хороший урожай мож­но получить на почве с нейтральной или слабокислой реакцией, при достаточном поливе. Калибровка семян и равномерная заделка их в почву—основа дружного со­зревания урожая.

Выращивают редис как предварительную, основную или повторную культуру. В зимних и весенних с допол­нительным подогревом теплицах, в теплых парниках он поспевает при оптимальных условиях через 30—35 дней после посева. Норма высева 2—3 г на 1 м2. В марте мож­но высевать 3—4 г семян сплошным способом в качестве уплотнителя к огурцам за 10—12 дней до их посева.

К посеву весной приступают, когда почва прогреется до 2—3°С. Редисом занимают обычно участки, предна­значенные под позднюю капусту или летний картофель. Сеют по схеме строчками через 15 см, глубина заделки семян 1,5—2 см. Уход заключается в обильных поливах, последующих рыхлениях и прополке, которые проводят не менее 2—5 раз. Нерегулярные поливы вредны, - так как ведут к растрескиванию корнеплодов. Прорежива­ние редиса следует проводить своевременно, после по­явления всходов, чтобы растения не вытягивались, так как тогда изменяется форма корнеплода. Между расте­ниями оставляют 3—4 см.

Летний посев дает редис низкого качества, а осен­ний—продукцию, не уступающую ранневесенней.

Осенью редис сеют в сентябре — первой половине ок­тября с таким расчетом, чтобы созревание его закончи­лось до первых заморозков. Лучшая схема посева 6Х4 или 6Х5 см. Всходы редиса переносят заморозки до . 2—3°С, а взрослые растения—до 5° С. Оптимальная влажность почвы 65—70% ППВ. Одновременно с поли­вом проводят азотную подкормку—6—8 г аммиачной селитры на 1 м2 посева. Пересушивание почвы под редисом недопустимо. Под осенний посев используют участ­ки, освободившиеся после ранних культур (огурцы, ран­ний картофель, капуста и др.).